半導体レーザの作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 豊之 |
| 发表日期 | 1993-05-18 |
| 专利号 | JP1993121836A |
| 著作权人 | SHIMADZU CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 MOCVD法による半導体レーザの作製過程においてアンドープ層に不純物が混入しないようにする。 【構成】 アンドープ層である活性層4及びそれよりも後に形成される上位の層をMOCVD法によって成長させる際に、アンドープ層への不純物の拡散を防止するため成長温度を下げるとともに、低温であっても良好な結晶成長を行なわせるため、レーザ光を基板に照射して光化学反応により有機金属ガスを分解する。 |
| 公开日期 | 1993-05-18 |
| 申请日期 | 1991-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHIMADZU CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 豊之. 半導体レーザの作製方法. JP1993121836A. 1993-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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