半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玉貫 岳正 |
| 发表日期 | 1996-07-30 |
| 专利号 | JP1996195525A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 電力-光出力の変換効率が高く、かつ狭い光出射領域において大出力が得られる半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層幅が共振器方向に変化するフレア構造半導体レーザにおいて、複数の前記半導体レーザを、活性層幅が広い部分と狭い部分を互い違いに近接させてアレイ状に配置した構造で、n-InP基板1上にn-InPバッファ層2、活性層5、クラッド層6、活性層5及びp-InPリッジクラッド層20、コンタクト層7が形成され、コンタクト層7表面及び基板1の裏面にそれぞれp型オーミック電極8、n型オーミック電極9が形成されたフレア構造レーザアレイで、大出力光を発生させるものである。 |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 申请日期 | 1995-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79486]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉貫 岳正. 半導体レーザ. JP1996195525A. 1996-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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