半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 柿本 昇一 |
| 发表日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP1997260778A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器長の光路長が波長と同程度で、無効電流をなくし、かつ活性層に超格子構造等を採用することによりしきい値電流を略零にできる半導体レーザを得ることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板1上に順次形成された第1の多層反射膜2と、第1のクラッド層3を含み前記第1の多層反射膜上に形成された第1の半導体型の第1の半導体層と、超格子を含み前記第1の半導体層上に形成された活性層4Aと、第2のクラッド層5を含み前記活性層上に形成された第2の半導体型の第2の半導体層と、前記第1の多層反射膜との光路長が略レーザ光の波長の1/2またはその自然数n(n≦10)倍で形成された第2の多層反射膜10と、前記超格子を含む活性層の周囲を無秩序化した領域13とを備えたものである。 【効果】 無効電流の発生を抑制することができ、略零電流しきい値の半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-10-03 |
| 申请日期 | 1996-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79502]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柿本 昇一. 半導体レーザ. JP1997260778A. 1997-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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