面発光半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小路 元 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236852A |
| 著作权人 | 技術研究組合新情報処理開発機構 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 面発光半導体レーザに関し、簡便に基本横モードのビームを得ることができるとともに、内部抵抗の増大を回避できる手段を提供する。 【構成】 n型半導体基板1の上に形成されたn側反射膜2とp側反射膜6に挟まれた、n側クラッド層3、光共振器内にノンドープ活性層4、p側クラッド層5を有し、p側反射膜6にはp側電極7を有し、n型半導体基板1には、例えば基本横モードの光ビーム径の5倍を超えない直径の光放射用の開口部81 をもったn側電極8を有し、この開口部81 には、ノンドープ活性層4からの発光のうち基本横モードに対応する波長近傍の光に対して高い透過率を有する誘電体多層膜または半導体多層膜からなる波長フィルタ9を有する構成とした。また、上記とは逆に、p側反射膜の上に光放射用の開口部をもったp側電極を形成し、その開口に上記の透過帯域を有する波長フィルタを設けることもできる。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79513]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 技術研究組合新情報処理開発機構 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小路 元. 面発光半導体レーザ. JP1996236852A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。