光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 野間 淳史; 油利 正昭; 太田 一成 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243611A |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 発光領域となる活性層の薄膜化による量子サイズ効果を利用して、活性層のAl混晶比を上げることなく発光波長を短波長化することにより、620〜630nmで発光するGaAlAs系高輝度発光ダイオードを得る。 【構成】 Ga1-X AlX As(X=0.4〜0.65)基板1上にMOCVD法によりGa0.2 Al0.8 Asクラッド層2、厚さ4nmのGa0.65Al0.35As活性層3、Ga0.2 Al0.8 Asクラッド層4、Ga0.35Al0.65Asコンタクト層5を順次成長させた後、オーミック電極6、7を形成する。この構成によれば、発光領域となる活性層3の量子サイズ効果により、活性層3のAl混晶比を上げることなく発光波長を短波長化することができ、発光効率の低下を招くことなく、620〜630nmで発光するGaAlAs系高輝度発光ダイオードが容易に得られる。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79532]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野間 淳史,油利 正昭,太田 一成. 光半導体装置. JP1993243611A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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