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半導体レーザ装置及びその製造方法

文献类型:专利

作者鬼頭 雅弘; 大塚 信之; 石野 正人; 松井 康; 稲葉 雄一
发表日期1999-08-10
专利号JP1999220220A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置及びその製造方法
英文摘要【課題】 (1)低しきい値電流及び高スロープ効率特性を有し、且つ出射角が狭い半導体レーザ装置、(2)その製造方法、及び(3)上記のような半導体レーザ装置を光源として含む光通信システムを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置が、基板と、該基板上に形成された多層構造と、を備えた半導体レーザ装置であって、該多層構造は、少なくとも活性層を有する光導波領域と、該光導波領域の周囲を埋め込む埋め込み層と、を含み、該光導波領域は共振器長方向に対してストライプ状に形成されており、該光導波領域のストライプ幅は、前端面における幅W1と後端面における幅W2とがW1
公开日期1999-08-10
申请日期1996-12-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79548]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
鬼頭 雅弘,大塚 信之,石野 正人,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1999220220A. 1999-08-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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