半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 堂免 恵; 小林 宏彦 |
| 发表日期 | 1994-09-30 |
| 专利号 | JP1994275910A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】可視光半導体レーザに関し、MQBを有する半導体レーザにおいて、MQB層中の界面非発光再結合を抑制し、発光効率、閾値電流密度を改善することができる半導体発光装置を提供する。 【構成】第1及び第2のクラッド層4又は8の間に形成された活性層5と、該活性層5と前記第1のクラッド層4又は8との間に形成されてキャリアに対する障壁となり、かつ井戸層に圧縮歪みが形成されてなる多重量子障壁層12とを含み構成する。 |
| 公开日期 | 1994-09-30 |
| 申请日期 | 1993-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79554]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堂免 恵,小林 宏彦. 半導体発光装置. JP1994275910A. 1994-09-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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