半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 友子; 高森 晃; 井戸田 健; 内山 潔; 菊地 理恵; 中島 眞人 |
| 发表日期 | 1993-03-05 |
| 专利号 | JP1993055708A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 バンドギャップ差は大きく保ちながら、低抵抗となるクラッド層を成形して、発光効率を向上することができる半導体発光素子を得るにある。 【構成】 発光する活性層11をクラッド層12をによりサンドイッチ状に挟んで構成される半導体発光素子であってクラッド層12はオーダリングの小さな温度で結晶成長し、結晶成長の後に成長温度より低温のオーダリングは生じない温度領域でアニーリングを行った層構造で成形した半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 1993-03-05 |
| 申请日期 | 1991-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79556]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 友子,高森 晃,井戸田 健,等. 半導体発光素子. JP1993055708A. 1993-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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