半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 内藤 浩樹; 粂 雅博; 太田 一成; 清水 裕一 |
| 发表日期 | 1993-07-23 |
| 专利号 | JP1993183235A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ディスク等に用いる低雑音で、しかも、低い動作電流値の半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 量子井戸構造の活性層4の主面の少なくとも一方の側に、リッジ部5aを有する一導電型のGa1-XAlXAsクラッド層5を備えるとともに、前記リッジ部5aの長手方向の側面に沿って、これとは逆の導電型のGa1-YAlYAs電流ブロック層6を備えてなり、AlAs混晶比、XおよびYの間に、Y>Xの関係を成立させた構成を有している。 |
| 公开日期 | 1993-07-23 |
| 申请日期 | 1992-01-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79562]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内藤 浩樹,粂 雅博,太田 一成,等. 半導体レーザ装置. JP1993183235A. 1993-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。