半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋裕司 |
| 发表日期 | 1999-04-28 |
| 专利号 | CN1215239A |
| 著作权人 | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在用于直接形成有源层的选择性生长掩模图形中,除了形成用于生长有源层的开孔条带之外,还形成用于生长待插入电流阻挡层的复合层的开孔条带。利用此掩模图形,控制复合层的位置和带隙。从而,在有源层附近的任意位置,可以与有源层一起一次形成具有任意带隙的复合层。这样,能够以良好的均匀性和再现性制造具有优异的高温高输出特性的半导体激光器元件。 |
| 公开日期 | 1999-04-28 |
| 申请日期 | 1998-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋裕司. 半导体激光器及其制造方法. CN1215239A. 1999-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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