半导体元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田由美; 和泉亮 |
| 发表日期 | 2006-04-12 |
| 专利号 | CN1759509A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构(14)对应的部分形成混晶化促进膜(8)的工序；利用催化剂CVD法在窗结构(14)以外的部分至少形成保护膜(9)的工序；通过热处理对窗结构(14)部分进行混晶化的工序，由此，仅将窗结构等的要局部混晶化的部分混晶化，不影响其它不混晶化的部分，而制造半导体激光元件等半导体元件，制造出高功率、寿命长且可靠性高的半导体元件。 |
| 公开日期 | 2006-04-12 |
| 申请日期 | 2004-04-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79632]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田由美,和泉亮. 半导体元件的制造方法. CN1759509A. 2006-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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