面発光レーザ素子
文献类型:专利
作者 | 清水 均; 影山 健生 |
发表日期 | 2007-11-29 |
专利号 | JP2007311632A |
著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 面発光レーザ素子 |
英文摘要 | 【課題】トンネル接合を有する面発光レーザ(VCSEL)素子の低抵抗化及び高出力化を図る。 【解決手段】VCSEL素子10は、n型下部DBRミラー12とn型上部DBRミラー19との間にトンネル接合17を有し、トンネル接合17は、p+-GaAs層31とn+-InGaAs層33との間に2.5モノレーヤ厚みの量子ドット層32を有する。量子ドット層32は、小さなバンドギャップエネルギーを有し、トンネル接合17内のトンネル確率を上げることにより、VCSEL素子10の低抵抗化及び高出力化を可能にする。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2007-11-29 |
申请日期 | 2006-05-19 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79680] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 清水 均,影山 健生. 面発光レーザ素子. JP2007311632A. 2007-11-29. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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