半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | S・格雷特施; H・－L・阿尔特豪斯 |
| 发表日期 | 1999-04-14 |
| 专利号 | CN1214150A |
| 著作权人 | 西门子公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体装置 |
| 英文摘要 | 半导体器件(1),例如一种功率激光二极管条形块,是固定在一个载体部件(2)上的。在半导体器件(1)和载体部件(2)之间设置一应力补偿层(3),该应力补偿层由一种材料组成,这种材料的热膨胀系数αth与半导体器件的材料的热膨胀系数相匹配,并且具有一很大的弹性模数。机械应力几乎完全单独由应力补偿层(3)在弹性延伸范围内所补偿。因此,可以制造高温稳定的和温度循环稳定的连接。 |
| 公开日期 | 1999-04-14 |
| 申请日期 | 1997-03-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79700]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西门子公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S・格雷特施,H・－L・阿尔特豪斯. 半导体装置. CN1214150A. 1999-04-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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