半导体激光器元件
文献类型：专利
| 作者 | G・朗德维尔; M・凯姆; G・洛伊舍尔; T・利茨; T・巴隆; F・菲舍尔; H・J・卢高尔 |
| 发表日期 | 2000-03-08 |
| 专利号 | CN1246967A |
| 著作权人 | 西门子公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器元件 |
| 英文摘要 | 半导体激光器元件,该元件具有适于产生电磁辐射的、SCH构造的半导体本体,在该本体中,在第一导电类型的第一外覆盖层和第一导电类型的第二外覆盖层之间设置一量子阱结构的有源层序列。在有源层序列和第二外覆盖层之间设置一个第二导电类型的第一简并过渡层和一个第一导电类型的第二简并过渡层。 |
| 公开日期 | 2000-03-08 |
| 申请日期 | 1998-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79712]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西门子公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | G・朗德维尔,M・凯姆,G・洛伊舍尔,等. 半导体激光器元件. CN1246967A. 2000-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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