面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮本 育昌; 櫻井 淳; 坂本 朗 |
| 发表日期 | 2009-04-02 |
| 专利号 | JP2009071216A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】水分の滲入を効果的に防ぎ、光出力の低下を抑制する面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】VCSELは、基板上に、n型のバッファ層、n型の下部DBR、活性領域、電流狭窄層、p型の上部DBR、p型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層が積層され、半導体層上に環状電極120、出射領域を保護する出射保護膜122、半導体層を覆う層間絶縁膜124、層間絶縁膜124上に形成され、環状電極120に接続される上部電極126、さらに、出射保護膜122と上部電極126との接触面を覆うように上部保護膜128が形成されている。上部保護膜128は、水分の滲入経路Rの距離を延長し、コンタクト層114への水分の滲入を防ぐ。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2009-04-02 |
| 申请日期 | 2007-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79734]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮本 育昌,櫻井 淳,坂本 朗. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2009071216A. 2009-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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