半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宫嵜启介; 和田一彦; 森本泰司 |
| 发表日期 | 2003-11-12 |
| 专利号 | CN1455483A |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制造方法，该方法包括：在n型GaAs衬底21上形成AlGaAs基半导体激光器29并其后从表面进行蚀刻直到达到n型AlGaAs覆盖层23。接着，用对GaAs具有选择性的蚀刻剂通过蚀刻除去n型AlGaAs覆盖层23。随后，轻微地蚀刻n型GaAs缓冲层22的表面。由此，在n型GaAs衬底21上保留得AlGaAs基半导体激光器29的GaAs接触层22处于轻微地磨掉的状态，这会在第二次生长AlGaInP基半导体激光器38期间保持基础层的平整度。因此，尤其是可以提高第二次生长的有源层晶体的平整度，并提高由于基础不良平整度，造成AlGaInP基半导体激光器38的不良特性。 |
| 公开日期 | 2003-11-12 |
| 申请日期 | 2003-04-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79790]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫嵜启介,和田一彦,森本泰司. 半导体激光器及其制造方法. CN1455483A. 2003-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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