半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 早川利郎; 浅野英树; 长滨慎一; 松本祐司; 甲本克敏 |
| 发表日期 | 2006-04-26 |
| 专利号 | CN1764027A |
| 著作权人 | 富士胶片株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明是具有折射率波导结构，将横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器的多个发光区域，能够聚光为高亮度，抑制水平光束辐射角度为小。本发明具有：例如，在p－GaN盖层(28)和p－Al0.1Ga0.9N金属包层(27)，形成宽度W2的脊形结构所形成的折射率波导结构。横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器中，将带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn设定为5×10－2以下。 |
| 公开日期 | 2006-04-26 |
| 申请日期 | 2005-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79820]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士胶片株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川利郎,浅野英树,长滨慎一,等. 半导体激光装置. CN1764027A. 2006-04-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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