面発光型レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 平岩 浩二; 岩井 則広; 高木 啓史 |
| 发表日期 | 2009-05-28 |
| 专利号 | JP2009117540A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】酸化層狭窄型のVCSEL素子のメサポストの倒壊を防止する電極構造を提供する。 【解決手段】VCSEL素子100は、方形状となる電流注入領域20aを酸化狭窄層20内に有する。メサポスト50の上部に形成され、メサポスト50に発振電流を供給するp側電極26に接続される電極引出線30を、方形状の電流注入領域20aの頂点の一つに一致する角度位置に形成する。p側電極引出線30からメサポスト50に印加される応力を低減することで、酸化狭窄層20の応力によるメサポスト50の倒壊を防止する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-05-28 |
| 申请日期 | 2007-11-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79861]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平岩 浩二,岩井 則広,高木 啓史. 面発光型レーザ素子. JP2009117540A. 2009-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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