III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2014-08-06 |
| 专利号 | CN102549859B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。 |
| 公开日期 | 2014-08-06 |
| 申请日期 | 2010-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79873]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善积祐介,盐谷阳平,京野孝史,等. III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法. CN102549859B. 2014-08-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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