半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 河西秀典; 山本圭; 厚主文弘; 藤城芳江; 吉田智彦 |
| 发表日期 | 2006-03-29 |
| 专利号 | CN1248379C |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件具有n型GaAs衬底1支撑的依次形成的n型AlGaAs第一盖层2，多重量子阱有源层3和p型AlGaAs第二盖层4。多重量子阱有源层3具有两个量子阱层3a和设置在每一量子阱层3a两侧的垒层3b。每一量子阱层3a由In1-V1GaV1As1-W1PW1构成，每一垒层3b由In1-V2GaV2As1-W2PW2构成。这里，V1和V2满足V1＜V2，W1和W2满足W1＜W2。垒层相对于GaAs衬底具有张应变，阱层相对于GaAs衬底具有压应变。 |
| 公开日期 | 2006-03-29 |
| 申请日期 | 2003-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79884]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河西秀典,山本圭,厚主文弘,等. 半导体激光器件. CN1248379C. 2006-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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