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垂直共振器型面発光半導体レーザ

文献类型:专利

作者菅原 章義
发表日期2014-02-06
专利号JP2014027160A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名垂直共振器型面発光半導体レーザ
英文摘要【課題】素子抵抗を上げることなく静電容量を低減して、時定数CRを改善し、高速な応答を実現できるVCSEL(垂直共振器型面発光半導体レーザ)を提供する。 【解決手段】この垂直共振器型面発光半導体レーザによれば、選択酸化層7は、酸化した環状の部分7Cの一部分7Bが除去されている。この除去された部分7Bは、空気に置き換わって、上記酸化した部分7Cよりも誘電率が低くなる。したがって、上記酸化した部分7Bを除去した選択酸化層7を備えたことで、酸化した部分7Bを除去していない選択酸化層に比べて、静電容量を低減でき、時定数CRを低減できる。 【選択図】図1
公开日期2014-02-06
申请日期2012-07-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79901]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
菅原 章義. 垂直共振器型面発光半導体レーザ. JP2014027160A. 2014-02-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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