垂直共振器型面発光半導体レーザ
文献类型:专利
作者 | 菅原 章義 |
发表日期 | 2014-02-06 |
专利号 | JP2014027160A |
著作权人 | SHARP CORP |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 垂直共振器型面発光半導体レーザ |
英文摘要 | 【課題】素子抵抗を上げることなく静電容量を低減して、時定数CRを改善し、高速な応答を実現できるVCSEL(垂直共振器型面発光半導体レーザ)を提供する。 【解決手段】この垂直共振器型面発光半導体レーザによれば、選択酸化層7は、酸化した環状の部分7Cの一部分7Bが除去されている。この除去された部分7Bは、空気に置き換わって、上記酸化した部分7Cよりも誘電率が低くなる。したがって、上記酸化した部分7Bを除去した選択酸化層7を備えたことで、酸化した部分7Bを除去していない選択酸化層に比べて、静電容量を低減でき、時定数CRを低減できる。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2014-02-06 |
申请日期 | 2012-07-27 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79901] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SHARP CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 章義. 垂直共振器型面発光半導体レーザ. JP2014027160A. 2014-02-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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