半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野泽和利; 田村聪之 |
| 发表日期 | 2010-03-24 |
| 专利号 | CN101682171A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括：主面的晶面方位为(1－100)的基板(11)，形成在基板(11)上且具有条状光波导部的半导体叠层体(12)，以及形成在基板(11)上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部(13)。出射端面的晶面方位为(000－1)。 |
| 公开日期 | 2010-03-24 |
| 申请日期 | 2009-01-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79915]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野泽和利,田村聪之. 半导体激光装置及其制造方法. CN101682171A. 2010-03-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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