半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 广山良治; 野村康彦; 畑雅幸; 三宅泰人 |
| 发表日期 | 2012-01-11 |
| 专利号 | CN101355232B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。 |
| 公开日期 | 2012-01-11 |
| 申请日期 | 2008-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 广山良治,野村康彦,畑雅幸,等. 半导体激光元件. CN101355232B. 2012-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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