半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 宣融; 黄尧琳; 余昱辰; 朱彦 |
| 发表日期 | 2007-12-19 |
| 专利号 | CN101090195A |
| 著作权人 | 财团法人工业技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种半导体激光装置，该半导体激光装置包括：具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面的基板；形成于该基板第二表面的主动区；形成于该主动区上的披覆层，且该披覆层中形成有至少一电性绝缘区，以在该基板第二表面上形成尺寸不同的第一激光区及第二激光区；其中，当在该半导体激光装置上施加电源时，该第一及第二激光区中分别产生不同激光模态间隙的光频谱，并在光频谱耦合后产生单模激光。本发明的半导体激光装置可产生波长可调变的单模激光，从而可简化制程，提升制程良率及制程成本，同时可避免现有技术中由于采用表面粘装制程引起的第一及第二激光区在基板上对位精度低、无法产生波长调变效果等缺失。 |
| 公开日期 | 2007-12-19 |
| 申请日期 | 2006-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79990]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 财团法人工业技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宣融,黄尧琳,余昱辰,等. 半导体激光装置. CN101090195A. 2007-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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