半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | 增井克荣; 宫内伸幸; 谷善平; 竹川浩; 辻亮; 小川胜; 盐本武弘 |
| 发表日期 | 2001-05-09 |
| 专利号 | CN1065672C |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件，包括一个管座、一个半导体激光芯片和一层覆盖在激光芯片上的树脂层。管座可以有一个监视器光电二极管，安装在激光芯片的附近。覆盖在激光芯片上或者既覆盖在激光芯片上又覆盖在监视器光电二极管芯片上的树脂层是由单一的合成树脂制成的，其厚度不超过５００μｍ，并且其表面与激光芯片的向外发射激光束的端面基本上平行。 |
| 公开日期 | 2001-05-09 |
| 申请日期 | 1993-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79994]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 增井克荣,宫内伸幸,谷善平,等. 半导体激光器件. CN1065672C. 2001-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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