半导体激光装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西山伸宏 |
| 发表日期 | 2003-06-25 |
| 专利号 | CN1426141A |
| 著作权人 | 夏普公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 基架21，激光装置安置架22，和引导架23通过冲压和弯曲一金属板形成。基准面由平面基架21的基准面部分21a，21b构成，用于散热和加固的金属板24，24被进一步贴在基准面上来提高强度和散热，尽管本装置是框架型激光装置。此外，激光器件26被装在激光器件安置架22上，且用压浇铸脂29浇铸除光发射面的周围部分。这消除了保护激光设备26和引线27的帽之需要，并且能够集中生产。特别是，通过将一金属板冲压成框架和用树脂浇铸框架而不使用保护帽，使集中大规模生产成为可能。 |
| 公开日期 | 2003-06-25 |
| 申请日期 | 2002-12-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西山伸宏. 半导体激光装置及其制造方法. CN1426141A. 2003-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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