半导体激光器装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻; 佐藤智也; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2009-02-04 |
| 专利号 | CN101359806A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。 |
| 公开日期 | 2009-02-04 |
| 申请日期 | 2008-07-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80006]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻,佐藤智也,木户口勋. 半导体激光器装置及其制造方法. CN101359806A. 2009-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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