一种半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨成奥; 张宇; 廖永平; 魏思航; 徐应强; 牛智川 |
| 发表日期 | 2015-12-16 |
| 专利号 | CN105161976A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构；布拉格反射区，其位于所述主振荡区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导两侧，与所述脊形波导倾斜设置。 |
| 公开日期 | 2015-12-16 |
| 申请日期 | 2015-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨成奥,张宇,廖永平,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN105161976A. 2015-12-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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