半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 向山 尚孝 |
发表日期 | 2008-03-13 |
专利号 | JP2008060339A |
著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | (修正有) 【課題】 APC駆動と素子の信頼性および周波数特性との両立を図り、最適な駆動電流で所望の光出力を得ることができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置10は、VCSEL110を搭載するステム100と、ステム100に取り付けられるキャップ120とを含み、キャップ120は、VCSEL110から発せられるレーザ光を透過する透過窓132に光透過率が変化する調光ガラス150を含むものである。調光ガラス150は、リード端子142および146に与えられた電圧に応じて光透過率を変化させる。好ましくは、印加電圧は、APC駆動回路の動作に応答する。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2008-03-13 |
申请日期 | 2006-08-31 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80057] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 向山 尚孝. 半導体レーザ装置. JP2008060339A. 2008-03-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。