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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者向山 尚孝
发表日期2008-03-13
专利号JP2008060339A
著作权人富士ゼロックス株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要(修正有) 【課題】 APC駆動と素子の信頼性および周波数特性との両立を図り、最適な駆動電流で所望の光出力を得ることができる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置10は、VCSEL110を搭載するステム100と、ステム100に取り付けられるキャップ120とを含み、キャップ120は、VCSEL110から発せられるレーザ光を透過する透過窓132に光透過率が変化する調光ガラス150を含むものである。調光ガラス150は、リード端子142および146に与えられた電圧に応じて光透過率を変化させる。好ましくは、印加電圧は、APC駆動回路の動作に応答する。 【選択図】図1
公开日期2008-03-13
申请日期2006-08-31
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80057]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
向山 尚孝. 半導体レーザ装置. JP2008060339A. 2008-03-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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