半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 大塚健一 |
| 发表日期 | 2009-08-05 |
| 专利号 | CN101499623A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明“半导体激光器”旨在提供可防止端面劣化且制造容易的半导体激光器。在n－GaN衬底(11)(半导体衬底)上依次层叠n－AlGaN包层(12)(下部包层)、量子阱活性层(14)(活性层)及p－AlGaN包层(16)(上部包层)。在p－AlGaN包层(16)上形成脊部(17)。在脊部(17)上，谐振器端面附近的p－AlGaN包层(16)的厚度比谐振器中央的p－AlGaN包层(16)的厚度大。 |
| 公开日期 | 2009-08-05 |
| 申请日期 | 2009-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80080]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚健一. 半导体激光器. CN101499623A. 2009-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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