半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 森住直人; 浪江贵史; 中川崇史; 荐田大祐; 正瑞浩章 |
| 发表日期 | 2017-03-08 |
| 专利号 | CN106486886A |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明的目的在于提供一种将半导体激光装置中的各种部件，特别是波长转换部的位置偏移控制在最小限度而可靠地被固定的半导体激光装置。该半导体激光装置具有基部(11)；半导体激光元件(12)；设置于基部的上方并在设置于其上方的凹部(13D)的底部具有贯通孔(13C)的盖部(13)；配置于凹部并在盖部的贯通孔的上方具有直径比盖部的贯通孔小的贯通孔(14C)且具有与盖部不同的热膨胀系数的保持部(14)；保持于保持部的贯通孔的波长转换部(15)；以及固定于盖部并按压保持部的上表面的按压部(16)，凹部的侧面与保持部的侧面分离，在凹部的侧面与保持部的侧面之间的至少一部分配置有缓冲件(17)。 |
| 公开日期 | 2017-03-08 |
| 申请日期 | 2016-08-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80086]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森住直人,浪江贵史,中川崇史,等. 半导体激光装置. CN106486886A. 2017-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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