半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 由美; 藤本 毅; 室 清文 |
| 发表日期 | 1996-12-13 |
| 专利号 | JP1996330666A |
| 著作权人 | MITSUI PETROCHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層へのキャリア閉じ込めを確実に行って、発振効率の向上および発振閾値の低減化が可能な半導体レーザ素子を提供する。 【構成】、n-GaAsから成る半導体基板20の上に、順次、n-Al0.03Ga0.97Asから成る第2n型クラッド層11、n-GaAsから成る第1n型クラッド層12、n-In0.49Ga0.51Pから成るn型キャリアブロック層13(厚み0.0075μm)、In0.20Ga0.80As/GaAsから成る二重量子井戸構造を持つ活性層14、p-Al0.30Ga0.70Asから成るp型キャリアブロック層15(厚み0.02μm)、p-GaAsから成る第1p型クラッド層16、p-Al0.03Ga0.97Asから成る第2p型クラッド層17、p-GaAsから成るp型コンタクト層19が形成される。p型コンタクト層19には、n-GaAsから成る電流狭窄層18が埋込まれている。 |
| 公开日期 | 1996-12-13 |
| 申请日期 | 1995-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUI PETROCHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 由美,藤本 毅,室 清文. 半導体レーザ素子. JP1996330666A. 1996-12-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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