半導体光集積素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 青木 雅博; 鈴木 誠; 高橋 誠; 土屋 朋信; 魚見 和久; 高井 厚志 |
| 发表日期 | 1993-02-05 |
| 专利号 | JP1993029602A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】半導体光集積素子の異種機能、異種性能を有する光素子間の高効率な光結合を極めて容易に実現する構造及び製造方法を提供する。また、量子井戸構造を集積化する複数素子に適用する。 【構成】連続し且つ成長層厚または組成が各素子領域で異なる複数のバルク半導体層6または量子井戸構造9を形成し、それらのエネルギー準位の差を利用して異種機能を有する半導体光素子を同一半導体基板1上に集積化する半導体光集積素子及び半導体基板上に形成した絶縁膜パターニングマスク5を用いた領域選択成長技術を用いた半導体光集積素子の製造方法。 【効果】素子間のほぼ100%光結合を実現できる。また従来、複数回エピタキシャル成長することで集積化していた2種以上の異種機能光素子が1回の結晶成長で形成できる。 |
| 公开日期 | 1993-02-05 |
| 申请日期 | 1991-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80114]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 青木 雅博,鈴木 誠,高橋 誠,等. 半導体光集積素子及びその製造方法. JP1993029602A. 1993-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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