半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 恭久; 藤井 智 |
| 发表日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP1996222582A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層と電極層間のオーム性接触が容易に得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層とAu電極層との間に、p型層の成膜に連続してこれと同じ成膜装置内で成膜したTeまたはその化合物からなる中間層を介在させるものとする。これにより、p型層と中間層との間に酸化絶縁層が生じることがなく、更に中間層上に形成される酸化絶縁層をAu電極層が分解し、かつ中間層内にAuが拡散してp型層と直接接触するので、p型層とAu電極層との間の界面残留電位障壁が小さくなる。従って、単純な構造で容易にp型層とAu電極層との間でオーム性接触が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 申请日期 | 1995-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80116]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺田 敏行,鈴木 哲哉,藤田 恭久,等. 半導体装置及びその製造方法. JP1996222582A. 1996-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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