窒化物系半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 理砂; 石川 正行 |
| 发表日期 | 1999-03-16 |
| 专利号 | JP1999074621A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流低減とクラックの抑制とを同時に達成することができ、トータルの素子特性向上をはかる。 【解決手段】 InGaN系半導体からなるMQW活性層16を活性層16よりもバンドギャップの大きい一対のGaN光閉じ込め層15,17で挟み、その外側を光閉じ込め層15,17よりもバンドギャップの大きいAlGaNからなるp型及びn型の一対のクラッド層14,18で挟んだ分離閉じ込めヘテロ構造を有し、かつその外側にp型及びn型のGaNコンタクト層13,19を有する窒化物系半導体レーザであって、一対の光閉じ込め層15,17のうち、n側の光閉じ込め層15をGaNコンタクト層13,19よりも屈折率の大きいInGaNで形成し、光閉じ込め効果の増大と共に、活性層16におけるクラックの発生を防止する。 |
| 公开日期 | 1999-03-16 |
| 申请日期 | 1997-08-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80130]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 理砂,石川 正行. 窒化物系半導体発光素子. JP1999074621A. 1999-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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