半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 早川 利郎; 松本 研司; 磯山 朝美 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252508A |
| 著作权人 | イーストマン·コダックジャパン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 エッチング停止に用いる低屈折率層とクラッド層との界面の組成分布を改良し、より確実にエッチングを可能にする。 【構成】 本発明の半導体レーザは、n-GaAs基板1のp上にn-GaAsバッファ層2、n-AlGaAs低屈折率層3、n-AlGaAsクラッド層4、n-AlGaAs低屈折率層5、n-AlGaAsクラッド層6、ノンドープAlGaAs光ガイド層7、ノンドープAlGaAs量子井戸層8、ノンドープAlGaAs光ガイド層9,p-AlGaAsクラッド層10、p-AlX Ga1-X As低屈折率層11、p-AlGaAsクラッド層12、p-AlGaAs低屈折率層13、p-GaAsキャップ14の順に分子エピタキシ法により形成されいる。p-AlGaAsクラッド層12のAlの混晶比は、0.45から0.8に徐々に増やされている。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | イーストマン·コダックジャパン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川 利郎,松本 研司,磯山 朝美. 半導体レーザ. JP1994252508A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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