半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 青木 雅博; 中原 宏治; 魚見 和久; 土屋 朋信; 佐藤 宏 |
| 发表日期 | 2007-08-31 |
| 专利号 | JP4003250B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。 【解決手段】 量子井戸構造を有する光学的活性領域(例えば、レーザ活性領域)の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子(半導体レーザ)を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。 【効果】 半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。 |
| 公开日期 | 2007-11-07 |
| 申请日期 | 1997-04-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80168]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 青木 雅博,中原 宏治,魚見 和久,等. 半導体レーザ. JP4003250B2. 2007-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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