半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 田中 治夫; 尺田 幸男 |
| 发表日期 | 2003-05-23 |
| 专利号 | JP3432912B2 |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 使用目的に適応した低ノイズで高特性の半導体レーザが簡単にえられる半導体レーザの構造を提供する。 【構成】 活性層が上部および下部クラッド層で挟持されてなる半導体レーザにおいて、該上部もしくは下部クラッド層3、5、7、9の少なくとも一方の層中に、活性層4で発生する光を吸収する吸収層6および前記活性層の発光領域のみに電流を注入するための電流注入領域がストライプ状に形成された電流阻止層8が一定距離をおいて別々に設けられている。 |
| 公开日期 | 2003-08-04 |
| 申请日期 | 1994-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 治夫,尺田 幸男. 半導体レーザ. JP3432912B2. 2003-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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