半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 板屋 義夫; 松本 信一 |
| 发表日期 | 1995-05-23 |
| 专利号 | JP1995135369A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光通信の光源となる半導体レーザおよびその製造方法に関し、両電極を同一面上に形成でき、かつ素子の浮遊容量を低減して高速動作に対応できることを目的とする。 【構成】 半絶縁性半導体基板10の上に島状に形成された第1導電形バッファ層11と、第1導電形バッファ層11の上に形成された活性層12、第2導電形クラッド層13、第2導電形電極層14からなる積層体のメサストライプと、第1導電形バッファ層11の一部を除いてメサストライプの上面まで埋め込まれた高抵抗半導体埋め込み層15と、メサストライプの上面に接続された第1の電極18,20と、高抵抗半導体埋め込み層15にできた溝16に露出している第1導電形バッファ層11から高抵抗半導体埋め込み層15の上面まで引き出された第2の電極17,19 とを備えた構成である。 |
| 公开日期 | 1995-05-23 |
| 申请日期 | 1993-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80193]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板屋 義夫,松本 信一. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1995135369A. 1995-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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