半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 長崎 洋樹 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200195A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 ドループ値の低減化をはかった信頼性の高い半導体レーザを構成する。 【解決手段】 AlGaInP系の半導体レーザにおいて、前方光出射端面の反射率Rfが55%〜65%とされ、後方光出射端面の反射率Rrが30%〜50%とされ、共振器長Lが150μm〜500μmとされた構成とする。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80204]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長崎 洋樹. 半導体レーザ. JP1998200195A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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