半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長尾 哲; 藤井 克司; 下山 謙司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-12-08 |
| 专利号 | JP1998326937A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コンタクト層と電極との接触抵抗を減少させるとともに、リッジ側壁部の表面酸化を防ぎ、レーザ特性や信頼性を向上させる。 【解決手段】 基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層、第2導電型第1クラッド層、電流が注入されるストライプ領域に形成されたリッジ型の第2導電型第2クラッド層及び第2導電型コンタクト層並びに該ストライプ領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置であって、該第2導電型第2クラッド層の実質的全面に該コンタクト層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置及び基板上に第1導電型第1クラッド層、活性層及び第2導電型第1クラッド層を形成した後、保護膜を用いて電流が注入されるストライプ領域にリッジ型の第2導電型第2クラッド層を選択成長させ、更に該リッジ型の第2導電型第2クラッド層の実質的全面にコンタクト層を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 |
| 公开日期 | 1998-12-08 |
| 申请日期 | 1998-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEM CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長尾 哲,藤井 克司,下山 謙司,等. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1998326937A. 1998-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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