半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 崇郎; 大歳 創; 丹羽 敦子 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068598A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 (AlGaIn)N系青紫色半導体レーザの、高温大電流動作における長寿命化。 【解決手段】 活性層を貫通する粒界ないしマイクロクラックが結晶表面に露出した部分に、オーミック電極を設ける場合、活性層と電極間のクラッド層へのドーピング不純物として、高濃度ドープした場合に粒界に析出しやすい元素を選択することで、粒界中に不純物原子を集積せしめ、電極からの金属原子がエレクトロマイグレーションにより、活性層に拡散することを防止するとともに、成るべく粒界密度の低い部分に電極を設ける。 【効果】 従来の結晶成長、プロセス、電極材料のままで、60℃、光出力20mWにおいて1万時間以上の長寿命動作を達成した。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80238]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 崇郎,大歳 創,丹羽 敦子. 半導体装置. JP2000068598A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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