光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 森永 素安; 鈴木 信夫; 遠山 政樹 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995202327A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 波長変化時に短波長側に偏移した発振波長が初期波長を横切って長波長側に偏移してしまうことを解消した、応答速度の速い波長可変半導体レーザを提供すること。 【構成】 n型クラッド層(基板10及びバッファ層11)とp型クラッド層15との間に、発光に寄与する活性層13と注入キャリアを蓄積するキャリア蓄積層14とが積層されたDFB型の波長可変半導体レーザにおいて、キャリア蓄積層14を活性層13に対しp型クラッド層15側に設け、キャリア蓄積層14の厚さD,幅W及び長さLを、注入電流に対するプラズマ効果による波長偏移の大きさが注入電流に対する熱効果による波長偏移の大きさよりも大きくなるように設定したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1994-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80244]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森永 素安,鈴木 信夫,遠山 政樹. 光半導体素子. JP1995202327A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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