半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村上 隆志; 榊原 靖 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252448A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 出射レーザ光の集光用の外部レンズの設計を容易とできる、または外部レンズを不要とできる半導体発光素子及びその製造方法を得る。 【構成】 窓構造を有する半導体発光素子において、窓部が、該窓部を構成する半導体材料の構成元素の濃度分布あるいは不純物の濃度分布により形成された、活性層から出射される光に対してレンズ作用を有する屈折率分布を有する構成とした。また、チップの表面あるいは端面から窓部にイオン注入することにより上記構成元素の濃度分布あるいは不純物の濃度分布を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80248]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 隆志,榊原 靖. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1994252448A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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