半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 上村 信行; 上山 智; 上野山 雄; 佐々井 洋一; 横川 俊哉 |
| 发表日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP1996222811A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込みヘテロ構造の半導体発光素子を提供する。 【構成】 メサ状構造の埋め込み材料としてクラッド層より屈折率の低く、かつSiO2、ポリイミドなどよりも熱伝導性がよいZn1-xCdxS(0≦x≦0.57)を用いるものである。それにより、GaAs基板に格子整合させることができ、従来よりも欠陥密度が少なく、埋め込み層の熱伝導性がよくなる。従って埋め込み層のはがれなどプロセス上の問題が生じない、特性のよい長寿命の単一横モード発振を実現する半導体発光素子を得る。 |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 申请日期 | 1995-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80252]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 信行,上山 智,上野山 雄,等. 半導体発光素子. JP1996222811A. 1996-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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