歪量子井戸半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 佐川 みすず; 魚見 和久; 平本 清久; 辻 伸二 |
| 发表日期 | 2000-04-07 |
| 专利号 | JP3053139B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 歪量子井戸半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 光通信システムにおける希土類添加光ファイバ増幅器の励起用光源として、高出力、高信頼性を有し、光ファイバと高効率で光結合する0.98μm帯半導体レーザを実現することを目的とする。 【構成】 GaAs基板1上にInGaAs歪量子井戸活性層4とInGaPにより構成されるn-クラッド層2及びp-クラッド層4を有する歪量子井戸半導体レーザにおいてリッジを形成し、ストライプ領域内のみにクラッド層中にGaAs光導波層を有する構造とする。また、上記リッジ部は再成長によりInGaP電流狭窄層9を有する層を成長させることにより活性層水平方向屈折率導波構造を形成する。 【効果】 本発明により、高出力まで安定なモードで動作する歪量子井戸半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 2000-06-19 |
| 申请日期 | 1992-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐川 みすず,魚見 和久,平本 清久,等. 歪量子井戸半導体レーザ. JP3053139B2. 2000-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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