半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮坂 文人 |
| 发表日期 | 2001-03-02 |
| 专利号 | JP3164072B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 半導体発光素子において、ウィンドウ領域の埋め込み工程を簡単に行なうことができる高光出力特性を得ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第一導電型半導体基板上1に、第一導電型クラッド層3、活性層4、及び第二導電型クラッド層5が積層され、電流注入用のストライプの外側を前記第二導電型クラッド層5の途中、あるいは前記活性層4の近傍、あるいは前記第一導電型クラッド層3の下部または途中までエッチングして電流ブロック層9で埋め込まれた電流狭窄ストライプを有する半導体発光素子において、素子のストライプ端面近傍の領域と、前記電流狭窄ストライプを含み電流狭窄ストライプよりも幅の広いストライプ外側の領域とを、前記活性層4を横切って活性層4に比してバンドギャップエネルギーの大きい半導体層8で埋め込むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-05-08 |
| 申请日期 | 1998-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80291]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人. 半導体発光素子及びその製造方法. JP3164072B2. 2001-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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