半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 米田 幸司; 田渕 規夫 |
| 发表日期 | 1993-01-29 |
| 专利号 | JP1993021906A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、液相成長時の熱的なエッチングに起因する、レーザ光の不所望な滲みだしによる局所的な発熱を防止し、半導体レーザの寿命を向上させることができる製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の半導体レーザの製造方法は、一導電型の基板上に積層された逆導電型のブロック層に、上記基板まで達する深さを有するストライプ状の溝を形成する第1の工程と、レジストを、上記溝内を含んで上記ブロック層上に、上記ストライプ溝の肩の部分で途切れる程度に薄く塗布する第2の工程と、上記レジストをマスクとして、上記溝の肩の部分をエッチングし、段差を有するストライプ溝を形成する第3の工程と、上記段差を有するストライプ溝の溝内を含んで上記ブロック層上に、活性層を含む発振層を液相成長する第4の工程と、を備える。 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 申请日期 | 1991-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80303]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 米田 幸司,田渕 規夫. 半導体レーザの製造方法. JP1993021906A. 1993-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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