半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 東出 啓; 渡辺 昌規 |
| 发表日期 | 2000-05-12 |
| 专利号 | JP2000133871A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザバーの反射面以外の部分にコーティング膜が形成されることを防止する。 【解決手段】 ストライプ状の光導波路を含む半導体層を積層した半導体ウェハをバー状に劈開した後、レーザの光出射領域を含む共振器端面となる、前記バーの劈開面にコーティング膜を形成する際、前記劈開面の一部と、この劈開面に隣接する一方の電極形成面とを引き続いて覆うスペーサに、前記バーを載置し、前記コーティング膜を成長させてなる。 |
| 公开日期 | 2000-05-12 |
| 申请日期 | 1998-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80305]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東出 啓,渡辺 昌規. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2000133871A. 2000-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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