分布帰還型半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 厚主 文弘; 種谷 元隆; 高橋 幸司; 山本 圭 |
| 发表日期 | 1997-07-15 |
| 专利号 | JP1997186394A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 発振閾値が低く、単一軸モードに優れたDFBレーザを歩留り良く作製する。 【解決手段】 光導波層15の、光吸収層17と接する表面部分に、断面台形形状を有する線状凸部16aを誘導放出光の伝播方向Ldに一定の繰返し周期でもって複数配置して、つまり線状凸凹形状を上記繰返し周期でもって形成して、回折格子16を形成し、該回折格子16上に形成される光吸収層17を、隣接する線状凸部間の領域(線状凸凹形状の底部)上及び該線状凸部の頂面部分(線状凸凹形状の頂部)上での層厚と、該光吸収層17の、該線状凸部の斜面部分(線状凸凹形状の斜面部)での層厚とが異なったものとした。 |
| 公开日期 | 1997-07-15 |
| 申请日期 | 1995-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80307]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 厚主 文弘,種谷 元隆,高橋 幸司,等. 分布帰還型半導体レーザ装置. JP1997186394A. 1997-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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